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2011年9月26日 星期一

明年,單條 32G 內存?

三星開啟業界最大規模的 20nm 閃存生產線,這條消息解讀起來還真的是有點故事。簡單講,三星電子有一條新的半導體生產線竣工投產,官方將其定義為全球最大規模,最先進的半導體生產線,主要產品為 20 納米級 NAND 閃存,同時基於此,三星將實現 20 納米級 DDR3 內存的量產,同時生產效率將提升,能耗會降低。
實際上,在三星和蘋果交惡之後,蘋果開始轉移一部分 DRAM 和 NAND 閃存訂單到日本,比如:東芝和爾必達(Elpida Memory),三星在這個時刻放出這條消息,顯然是為了告訴業界,其還是 NAND 閃存製造界的老大。 

按照這個技術規格來講的話,明年會有 20nm 工藝最大單條 32GB 內存出現!好大啊,可惜我們的錢包沒它大的這麼快!

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