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2011年9月26日 星期一

明年，單條 32G 內存？

於 星期一, 9月 26, 2011
三星開啟業界最大規模的 20nm 閃存生產線，這條消息解讀起來還真的是有點故事。簡單講，三星電子有一條新的半導體生產線竣工投產，官方將其定義為全球最大規模，最先進的半導體生產線，主要產品為 20 納米級 NAND 閃存，同時基於此，三星將實現 20 納米級 DDR3 內存的量產，同時生產效率將提升，能耗會降低。
實際上，在三星和蘋果交惡之後，蘋果開始轉移一部分 DRAM 和 NAND 閃存訂單到日本，比如：東芝和爾必達（Elpida Memory），三星在這個時刻放出這條消息，顯然是為了告訴業界，其還是 NAND 閃存製造界的老大。 

按照這個技術規格來講的話，明年會有 20nm 工藝最大單條 32GB 內存出現！好大啊，可惜我們的錢包沒它大的這麼快！

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