工程師正在每塊晶片上,擠入更多的電晶體,但其小型化的步伐,正面臨著一個重大的障礙。目前的光刻工藝被認為無法創建出未來十年晶片所需的更微型圖案。
晶片廠商在開發名為超紫外線(EUV)光刻技術上遇到了難題。基於這種技術的工具,成本是目前使用機器成本的兩倍,而且還不能快速加工晶片,難以大批量生產。對於完善 EUV 技術的進一步推遲,可能在未來數年對電子產業造成影響,使得眾多廠商在打造更加高級的晶片方面成本過高,減緩了智慧手機和平板電腦的發展。
Real World Technologies 首席分析師大衛·坎特(David Kanter)表示:「如果這一技術並未成功,並非就是業界已經完全束手無策了,但這將很糟糕。』
晶片廠商的賭注可謂巨大,它們對於 EUV 技術和 ASML 公司(開發基於這種技術的工具)投資了數十億美元的資金。英特爾近期表示,公司計畫向這家荷蘭公司和它的研究專案投資 41 億美元,台積電和三星同意分別投資 14 億和 9.75 億美元。
目前的光刻系統使用光將電路圖案投射到晶片上,問題是,傳統光的波長現在是大於所定義的功能,有點像是試圖用一把特大號的畫筆,來勾勒出一根細線。
晶片廠家部署了多種方式,來延伸對目前技術的使用,其中包括使光線通過液體,來獲得更加精細的圖像。與目前的光刻工具相比,EUV 通過製造更加短的光的波長,提供了相當於一隻更加精細的畫筆。但 EUV 也存在問題,更短的波長,使得 EUV 光線能被幾乎所有的東西所吸收,其中包括空氣,因此它必須通過在真空環境下使用反光鏡來製作。
使用與金屬加工中切割厚鋼板相同的鐳射,瞄準在真空容器中以每小時 240 英里速度飛行的細如髮絲的錫珠,通過交互運動產生光,然後發送到在晶片上印製圖案的掃描器上。
到目前為止,ASML 在其系統中受到光強度的阻礙。ASML 發現,難以每次使用鐳射準確擊中錫珠,而且錫珠可以覆蓋反光鏡,這兩個因素都影響了光的強度。
ASML 並沒有透露,使用現在的工具,公司一個小時能夠加工多少晶圓片。分析人士認為,大約在 20 到 30 塊之間。分析人士指出,如果要被業界廣泛採用,EUV 系統需要每小時處理大約 100 塊晶圓片。
為 ASML 的 EUV 設備開發光源的 Cymer 公司表示,在過去 1 年半的時間裡,公司已經將光的強度增加了十倍,提高了每小時加工晶圓的數量。Cymer 行銷及光刻技術副總裁尼格爾·法拉爾(Nigel Farrar)稱,公司的目標是再提高十倍,然後在此基礎上,再把強度提高 2 倍或者 3 倍。
ASML 高級技術主管諾林·哈尼德(Noreen Harned)表示,早期消費者在 2014 年將能使用 EUV 進行大批量生產。
儘管對於 EUV 的開發仍在繼續,但各個廠家正在採取舉措,盡可能延長目前的使用方法。它們也在尋求代替方案,以預防 EUV 技術並未達到預期的成功。
英特爾高級光刻技術主管雅恩·鳳梨多夫斯基(Yan Borodovsky)表示:「無論有沒有 EUV 技術,我們都擁有一條達到技術目標的道路。』
一個可選的方法就是定向自組裝(DSA),化學產品通過這種方法進行組合,以創建更加精細的圖案。各家公司對於此類技術的研發還處於早期階段,但業內專家認為這一技術具有前途。
ASML 最大的競爭對手尼康正在尋求修改其設備,以使其適合於 DSA 技術。尼康北美研究部門成像專家達尼斯·弗拉格洛(Donis Flagello)表示:「EUV 技術非常昂貴,我們並不確定,沒有(更大)的晶圓,擁有 EUV 對於使用者是否有意義。』
到目前為止的投資資料顯示,業界大多數將賭注壓在了 EUV 技術上。美光科技 CEO 馬克·德肯(Mark Durcan)表示:「我完全相信,ASML 能夠使該技術可行。在我看來,它並非是是否能行的問題,只是時間的問題。』
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